Каталог описаний

AENEON AET660SD00-25D

AENEON AET660SD00-25D - описание

1 модуль памяти DDR2, объем модуля 512 Мб, форм-фактор SODIMM, 200-контактный, частота 800 МГц, CAS Latency (CL): 5

AENEON AET660SD00-25D - характеристики

Общие характеристики
Тип памятиDDR2
Форм-факторSODIMM 200-контактный
Тактовая частота800 МГц
Пропускная способность6400 Мб/с
Объем1 модуль 512 Мб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)5
RAS to CAS Delay (tRCD)5
Row Precharge Delay (tRP)5
Activate to Precharge Delay (tRAS)15
Дополнительно
Напряжение питания1.8 В